发明名称 |
化学气相沈积装置 |
摘要 |
一种用以形成半导体材料之系统与方法。系统包括承座部件以及喷气部件。承座部件旋转于轴而喷气部件设置于承座部件上方但不直接接触承座部件。再者,系统另包括至少一基板固定座以及部件。至少一基板固定座设置于承座部件上,可旋转于轴以及与其相对应之固定座轴。再者,系统另包括至少一第一输入口、至少一第二输入口以及至少一第三输入口。至少一第一输入口形成于部件内;至少一第三输入口形成于喷气部件内,且至少一第三输入口与部件之距离较远于至少一第二输入口与部件之距离。 |
申请公布号 |
TWI464293 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
申请号 |
TW100130001 |
申请日期 |
2011.08.22 |
申请人 |
绿种子能源科技股份有限公司 |
发明人 |
刘恒;雅科夫列夫 叶夫根弗拉基米罗维奇 |
分类号 |
C23C16/455;C23C16/54 |
主分类号 |
C23C16/455 |
代理机构 |
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代理人 |
郭晓文 台北市文山区罗斯福路6段407号4楼 |
主权项 |
一种用以形成至少一材料之系统,包括:一承座部件,旋转于一中央轴;一喷气部件,设置于该承座部件上方但不直接接触该承座部件;至少一基板固定座,设置于该承座部件上,可旋转于该中央轴与其相对应之一固定座轴;一中央部件;至少一第一输入口,形成于该中央部件内;至少一第二输入口;以及至少一第三输入口,形成于该喷气部件内,且该至少一第三输入口与该中央部件之距离较远于该至少一第二输入口与该中央部件之距离;其中,该至少一第一输入口以至少一第一流率将至少一第一气体喷出该中央部件;该至少一第二输入口以至少一第二流率提供至少一第二气体;该至少一第三输入口以至少一第三流率将至少一第三气体由该喷气部件朝该承座部件喷出;其中,该系统可设定为分别调整该至少一第二流率与该至少一第三流率。 |
地址 |
台北市信义区基隆路2段51号8楼之9 VG 8F.-9, NO. 51, SEC. 2, KEELUNG RD., XINYI DIST., TAIPEI CITY 110, TAIWAN (R. O. C.) |