发明名称 资料储存方法、记忆体控制器与记忆体储存装置
摘要 本揭露提出一种用于可复写式非挥发性记忆体模组的资料储存方法。此方法包括:接收欲储存至第一逻辑位址的页资料。本方法也包括:判断可复写式非挥发性记忆体模组的储存状态是否符合预设状态;若是,使用第一写入模式来将页资料写入至可复写式非挥发性记忆体模组;并且若否,使用第二写入模式来将页资料写入至可复写式非挥发性记忆体模组,其中在第一写入模式中下实体程式化单元会被使用来写入资料且上实体程式化单元不会被用来写入资料,并且在第二写入模式中下与上实体程式化单元会被用来写入资料。
申请公布号 TWI464585 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW101120517 申请日期 2012.06.07
申请人 群联电子股份有限公司 苗栗县竹南镇群义路1号 发明人 叶志刚
分类号 G06F12/06;G11C16/14;G11C16/10 主分类号 G06F12/06
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种资料储存方法,用于在一可复写式非挥发性记忆体模组中储存资料,其中该可复写式非挥发性记忆体模组具有复数个实体抹除单元,每一所述复数个实体抹除单元具有复数个实体程式化单元,所述复数个实体程式化单元包括复数个下实体程式化单元与复数个上实体程式化单元并且将资料写入至所述复数个下实体程式化单元的速度大于将资料写入至所述复数个上实体程式化单元的速度,该资料储存方法包括:配置复数个逻辑位址;从一主机系统中接收一页资料,其中该主机系统指示将该页资料储存至所述复数个逻辑位址之中的一第一逻辑位址;从所述复数个实体抹除单元中选择一第一实体抹除单元,其中该第一实体抹除单元属于一闲置实体抹除单元;依据所述复数个实体抹除单元之中属于该闲置实体抹除单元的实体抹除单元的数目来判断该可复写式非挥发性记忆体模组的储存状态是否符合一预设状态;倘若该可复写式非挥发性记忆体模组的储存状态符合该预设状态时,使用一第一写入模式来将该页资料写入至该第一实体抹除单元的实体程式化单元之中的一第一实体程式化单元中,将该第一逻辑位址映射至该第一实体程式化单元,其中在该第一写入模式中该第一实体抹除单元的下实体程式化单元会被使用来写入资料且该第一实体抹除单元的上实体程式化单元不会被用来写入资料;以及倘若该可复写式非挥发性记忆体模组的储存状态不符合该预设状态时,使用一第二写入模式来将该页资料写入至该第一实体抹除单元的实体程式化单元之中的一第二实体程式化单元中,将该第一逻辑位址映射至该第二实体程式化单元,其中在该第二写入模式中该第一实体抹除单元的下实体程式化单元与上实体程式化单元会被用来写入资料。
地址 苗栗县竹南镇群义路1号