Verfahren zur Erzeugung einer Implantationszone und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Feldstoppzone

摘要

Verfahren zur Erzeugung einer Implantationszone in einem Halbleitersubstrat (28, 35, 44), wobei in einem Schritt der Bestrahlung des Halbleitersubstrats mit einem Protonenstrahl zur Protonenimplantation (29, 33, 42) die Implantationszone (27, 37, 43) in einer vorbestimmten Eindringtiefe (31, 36, 45), ausgehend von einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (28, 35, 44), ausgebildet wird, indem durch aufeinander abgestimmte Erhöhung der Strahlungsenergie des Protonenstrahls und Erhöhung der durchstrahlten Weglänge bis zu einem Haupt-Implantationspeak eine in der vorbestimmten Eindringtiefe ungestörte Implantationszone erzeugt wird, die gegenüber einer in derselben Eindringtiefe mit nicht erhöhter Strahlungsenergie und Weglänge erzeugten Implantationszone in Tiefenrichtung des Halbleitersubstrats verbreitert ist, wobei die Implantationszone (27, 37, 43) in einer gegenüber der vorbestimmten Eindringtiefe (31, 36, 45) größeren Eindringtiefe erzeugt und wobei anschließend der die vorbestimmte Eindringtiefe (31, 36, 45) übersteigende Teil der Dicke des Substrats (28, 35, 44) auf der Hauptoberfläche abgetragen wird.