发明名称 可产生三倍输入电压的闸极驱动器及驱动方法
摘要 一种闸极驱动器,包含一接受一输入电压之电源供电并具有一对功率开关的驱动电路、一第一电荷帮浦及一第二电荷帮浦,驱动电路藉由一具有一第一模式及一第二模式的脉波控制讯号调控该对功率开关的导通与否,第一电荷帮浦具有一第一充电回路、一第一放电回路及一第一箝制电路,第二电荷帮浦具有一第二充电回路、一第二放电回路及一第二箝制电路,且在第一模式及第二模式,分别藉由第一充电回路及第二充电回路充电至三倍输入电压至输出端以及第一放电回路及第二放电回路进行放电。
申请公布号 TWI465020 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW102110070 申请日期 2013.03.21
申请人 国立台北科技大学 台北市大安区忠孝东路3段1号 发明人 胡国英;姚宇桐
分类号 H02M3/07 主分类号 H02M3/07
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种可产生三倍输入电压的闸极驱动器,包含:一驱动电路,接受一输入电压之电源供电并具有一对功率开关,该对功率开关共同接收一脉波控制讯号且二者输出连接于一第一节点,该脉波控制讯号具有一第一模式及一第二模式以调控该对功率开关的导通与否;一第一电荷帮浦,具有一第一充电回路、一第一放电回路及一第一箝制电路,第一箝制电路包括一第一二极体及一第一电容,第一二极体的阳极端耦接于该输入电压之电源,第一二极体的阴极端串接于第一电容的一端,第一电容的另一端连接该第一节点,第一充电回路具有一第三电晶体,第三电晶体系一p通道的金属氧化物半导体场效电晶体元件,第三电晶体的闸极控制端耦接于该输入电压之电源,第三电晶体的源极端耦接在第一二极体的阴极端及第一电容的一端之间,第一放电回路具有一第四电晶体,第四电晶体系一n通道的金属氧化物半导体场效电晶体元件,第四电晶体的闸极控制端耦接于该输入电压之电源,第四电晶体的的源极端耦接在第一节点,第三电晶体的汲极及第四电晶体的汲极均耦接于一第二节点;及一第二电荷帮浦,具有一第二充电回路、一第二放电回路及一第二箝制电路,第二箝制电路包括一第二二极体及一第二电容,第二二极体的阳极端耦接于该输入电压之电源,第二二极体的阴极端串接于第二电容的一端,第二电容的另一端连接第二节点,第二充电回路具有一第五电晶体,第五电晶体系一p通道的金属氧化物半导体场效电晶体元件,第五电晶体的闸极控制端耦接于该输入电压之电源,第五电晶体的源极端耦接在第二二极体的阴极端及第二电容的一端之间;第二放电回路具有一第六电晶体,第六电晶体系一n通道的金属氧化物半导体场效电晶体元件,第六电晶体的闸极控制端耦接于该输入电压之电源,第六电晶体的的源极端耦接在第二节点,第五电晶体的汲极及第六电晶体的汲极均耦接于一输出端,且在该第一模式藉由该第一充电回路及该第二充电回路充电至三倍输入电压至该输出端,以及在该第二模式藉由该第一放电回路及该第二放电回路进行放电。
地址 台北市大安区忠孝东路3段1号