用于以氮为主之电晶体的帽盖层和或钝化层，电晶体结构与其制造方法

摘要

本发明提供高电子游动率的电晶体，系包括一以非均匀铝浓度之AlGaN为主的帽盖层具有一在相邻到一远离阻障层之帽盖层的表面处很高的铝浓度，其中该帽盖层是在该阻障层上。高电子游动率的电晶体包括一帽盖层，该帽盖层具有一掺杂区，该掺杂区相邻到一远离阻障层之帽盖层的表面处，其中该帽盖层是在该阻障层上。提供用于宽能隙半导体装置的石墨BN钝化层结构。提供用于第III族氮化物半导体装置的SiC钝化层结构。也提供钝化结构的氧退火处理。也提供没有凹陷区的欧姆接触区。

主权项

一种第III族氮化物高电子游动率电晶体，其系包括：一以第III族氮化物为主的通道层；一在该通道层上以第III族氮化物为主的阻障层；以及一在该阻障层上以非均匀组成AlGaN为主的帽盖层，并且与该以AlGaN为主之帽盖层内区域出现的Al浓度比较起来，相邻到远离该阻障层之该帽盖层的表面上具有较高浓度的Al。