| 发明名称 | 一种石墨烯/衬底复合导电材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯/衬底复合导电材料的制备方法，属于石墨烯转移领域，该制备方法为：首先采用CVD法在铜箔上生长石墨烯，形成石墨烯/铜复合膜；然后将石墨烯/铜复合膜以石墨烯面向上置于成型模具中，采用成型工艺将衬底流体均匀涂覆在石墨烯上，固化，得到衬底/石墨烯/铜三层复合材料；最后去除铜层，即得石墨烯/衬底导电材料。其优点为：本发明运用流体贴合形式进行石墨烯导电膜的制备，克服了因转移导致的石墨烯的皱褶、破损、裂缝等缺陷；极大提高了复合导电材料的电学性质；提高了石墨烯的纯度，拓宽了石墨烯导电材料的应用范围；操作简单，耗时短，成型快，极易大批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104191803A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201410433837.5 | 申请日期 | 2014.08.29 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 刘锋;蔡华飞;贺钰;刘胜 |
| 分类号 | B32B38/18(2006.01)I;B32B37/15(2006.01)I | 主分类号 | B32B38/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 张火春 |
| 主权项 | 一种石墨烯/衬底复合导电材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）采用CVD法在经清洁和抛光处理后的铜箔上生长石墨烯，形成石墨烯/铜复合膜；（2）将步骤（1）制备的石墨烯/铜复合膜以石墨烯面向上置于成型模具中，采用成型工艺将衬底流体均匀涂覆在石墨烯上，固化，得到衬底/石墨烯/铜三层复合材料；（3）去除步骤（2）制备的衬底/石墨烯/铜三层复合材料中的铜层，即得石墨烯/衬底导电材料。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||