发明名称 一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法
摘要 本发明涉及一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法,该声波谐振器包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构,压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极;压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿,释放窗口阵列形成了释放通道;牺牲层中间设置有中空部分,该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔;空气腔通过释放位于硅衬底正面的牺牲层形成,其释放通道由贯穿压电薄膜换能器堆叠结构的释放窗口阵列组成;根据该FBAR气隙的功能和结构特征,本发明制作方法有利于改进其可制造性,并且能够快速、干净的形成空腔,减小芯片尺寸。
申请公布号 CN104202010A 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201410430280.X 申请日期 2014.08.28
申请人 中国工程物理研究院电子工程研究所 发明人 高杨;何移;周斌;何婉婧;李君儒;蔡洵;黄振华
分类号 H03H9/17(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I 主分类号 H03H9/17(2006.01)I
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人 张新
主权项 一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器,其特征在于:包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构,压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极;所述压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿,释放窗口阵列形成了释放通道;所述牺牲层中间设置有中空部分,该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔。
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