发明名称 |
一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法,该声波谐振器包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构,压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极;压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿,释放窗口阵列形成了释放通道;牺牲层中间设置有中空部分,该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔;空气腔通过释放位于硅衬底正面的牺牲层形成,其释放通道由贯穿压电薄膜换能器堆叠结构的释放窗口阵列组成;根据该FBAR气隙的功能和结构特征,本发明制作方法有利于改进其可制造性,并且能够快速、干净的形成空腔,减小芯片尺寸。 |
申请公布号 |
CN104202010A |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201410430280.X |
申请日期 |
2014.08.28 |
申请人 |
中国工程物理研究院电子工程研究所 |
发明人 |
高杨;何移;周斌;何婉婧;李君儒;蔡洵;黄振华 |
分类号 |
H03H9/17(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/17(2006.01)I |
代理机构 |
成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 |
代理人 |
张新 |
主权项 |
一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器,其特征在于:包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器堆叠结构,压电薄膜换能器堆叠结构从下往上依次包括支撑层、底电极、压电层、顶电极;所述压电薄膜换能器堆叠结构被释放窗口阵列贯穿,释放窗口阵列形成了释放通道;所述牺牲层中间设置有中空部分,该中空部分与下面的硅衬底和上面的支撑层形成空气腔。 |
地址 |
621900 四川省绵阳市919信箱522分箱 |