发明名称 半导体器件的导线焊接点强化结构
摘要 本实用新型提供一种半导体器件的导线焊接点强化结构,包括框架内引线,框架内引线的表面具有焊接区,焊接区焊接有导线,所述导线与所述框架内引线的焊接点处跨设有压固件,所述压固件的中部向所述框架内引线的一侧紧压所述导线,所述压固件位于所述导线两侧的部分与所述框架内引线焊接固定。通过在导线的焊接点处设置压固件,来将导线向框架内引线的一侧压紧。此结构可以缓解和阻挡框架内引线边缘分层向导线焊接点方向扩展,在分层向导线焊接点延伸过程中,只有压固件的焊点因分层延伸而彻底剥离后才会继续向导线的焊接点延伸,故采用此结构可以预防和改善导线焊接点剥离。
申请公布号 CN204011404U 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201420359552.7 申请日期 2014.06.30
申请人 南通富士通微电子股份有限公司 发明人 石海忠;陈小雷;施清云;郇林香;蒋伟
分类号 H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人 孟阿妮
主权项 一种半导体器件的导线焊接点强化结构,包括框架内引线,所述框架内引线的表面具有焊接区,所述焊接区焊接有导线,其特征在于,所述导线与所述框架内引线的焊接点处跨设有压固件,所述压固件的中部向所述框架内引线的一侧紧压所述导线,所述压固件位于所述导线两侧的部分与所述框架内引线焊接固定。
地址 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号