| 发明名称 | 具有纳米线的光电子半导体结构以及制造这种结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电子半导体结构(100)，所述光电子半导体结构(100)包括：包括第一表面(111)的半导体基底(110)、成核层(120)和与所述成核层接触的纳米线(160)，所述成核层(120)由禁能带高于5eV的宽禁带半导体形成。所述成核层(120)覆盖所述第一表面(111)的被称为成核部分的部分，所述第一表面(111)的不被所述成核层(120)覆盖的部分(114)被称为自由部分。所述结构还包括与所述基底(110)的自由部分(114)接触的导电层(141)，所述导电层还围绕所述纳米线(160)的外周与所述纳米线接触。本发明还涉及这种结构(100)的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104203807A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201380018641.3 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 原子能和替代能源委员会 | 发明人 | 艾米丽·帕格瓦兹;安-罗兰·贝文寇;威廉·范登艾利 |
| 分类号 | B82Y10/00(2006.01)I;B82Y99/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L33/04(2006.01)I;H01L33/24(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I | 主分类号 | B82Y10/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 武晨燕;徐川 |
| 主权项 | 一种光电子半导体结构(100)，包括：‑具有第一表面和第二表面(111，112)的半导体基底(110)，‑与所述基底(110)的第一表面(111)接触的成核层(120)，所述成核层为具有高于5eV的禁能带的宽禁带半导体，纳米线(130)与所述成核层接触，其中，所述结构(100)的特征在于，所述成核层(120)由至少一个垫形成并且在所述第一表面(111)的被称为“成核”表面的部分(113)上覆盖所述基底(110)的第一表面(111)，其中，所述第一表面(111)的不被所述成核层(120)覆盖的部分(114)被称为“自由”部分，其中，所述结构还包括与所述基底(110)的自由部分(114)接触的导电层(141)，并且其中，所述导电层还在所述纳米线(130)的外周上与所述纳米线接触。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||