发明名称 产生多核心晶片的光罩组改良
摘要 本发明涉及产生多核心晶片的光罩组改良。第一光罩组被设计来制作晶片,而所述的晶片具有一限定数量的核心。本发明中第一光罩组被修改为一第二光罩组,以适用于制备至少相同数量的晶片,但相较于的前的核心数,这些晶片具有至少两倍或是更多的核心数。另外,第一光罩组并定义切割线,以分开一原本所定义的晶片。改良成第二光罩组时,至少有一切割线,会自一对邻近但原本不同的晶片之间被移除。同时,定义内核心通讯线,用以连接相邻的核心,藉此使两相邻核心操作时可相互通讯。在晶片之间并未连接任何输入/输出接触垫,因此核心之间的讯号不会传输至晶片之外。本发明的内核心通讯线可用以作电源管理,或用来旁路外部处理器总线。
申请公布号 CN102543862B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201110435145.0 申请日期 2011.12.22
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 达鲁斯.D.嘉斯金斯
分类号 H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L21/77(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 钱大勇
主权项 一种产生一光罩组的方法,以印制多核心晶片于一半导体晶圆上,所述多核心晶片包括Q‑核心晶片和/或P‑核心晶片,该方法包括:开发一第一光罩组,以印制Q‑核心晶片,其中该第一光罩组定义复数条切割线以区分该些Q‑核心晶片,其中该切割线共同地定义一密封环以环绕于每一Q核心晶片,其中Q至少为1;改良该第一光罩组中的部分层数以产生一第二光罩组,用以印制P‑核心晶片,其中该改良包括移除该第一光罩组中至少一切割线以及定义复数个内核心通讯线,以使原先被所移除的该切割线所分开的至少两个相邻的核心得以耦接,其中P至少为Q的两倍;其中,该内核心通讯线使至少两个相耦接的核心在操作时相互通讯;其中,该内核心通讯线并不与P‑核心晶片的输入/输出接触垫相耦接,以使得一依据该改良光罩组所制造的P‑核心晶片中经由该内核心通讯线所传输的讯号不会传输至该P‑核心晶片之外。
地址 中国台湾新北市