发明名称 用于超高压晶片的静电放电保护电路
摘要 本发明揭示一种用于超高压晶片的静电放电保护电路。所述静电放电保护电路包括电源箝制模块与至少一个开关模块。电源箝制模块用以自第一高压端或第一低压端侦测静电放电电流,据以产生控制信号。开关模块包括第一电阻与第一功率半导体元件,第一电阻耦接于第一高压端与电位转换电路之间,第一功率半导体元件并联耦接第一电阻,且第一功率半导体元件受控于控制信号使第一高压端通过第一电流传输路径电性连接至电位转换电路的接地端,其中第一低压端与接地端的电位差大于第一电压临界值。通过所述静电放电保护电路,本发明可避免操作于一般电压的电路受到破坏。
申请公布号 CN103178510B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201210004433.5 申请日期 2012.01.04
申请人 盛群半导体股份有限公司 发明人 邓志辉;林欣逸;任永星
分类号 H02H9/04(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 冯志云;吕俊清
主权项 一种用于超高压晶片的静电放电保护电路,耦接一电位转换电路,并通过该电位转换电路耦接一接地端,该静电放电保护电路包括:一电源箝制模块,耦接于一第一高压端与一第一低压端之间,用以自该第一高压端或该第一低压端侦测一静电放电电流,据以产生一控制信号;以及至少一开关模块,该开关模块包括:一第一电阻,耦接于该第一高压端与该电位转换电路之间;以及一第一功率半导体元件,并联耦接该第一电阻,受控于该控制信号以选择性地导通一第一电流传输路径,使得该第一高压端通过该第一电流传输路径电性连接至该电位转换电路;其中该第一低压端与该接地端的电位差大于一第一电压临界值。
地址 中国台湾新竹市