一种应力记忆技术的NMOS器件制作方法

摘要

本发明提供了一种应力记忆技术的NMOS器件制作方法，在晶片的器件面和背面沉积氮化硅层后，经过尖峰退火使氮化硅层对栅极拉应力后，在晶片背面的氮化硅层表面形成二氧化硅保护层，最后湿法刻蚀去除晶片器件面的氮化硅层。本发明提出方法在完全去除氮化硅层的同时减小晶片器件面硅衬底损伤的前提下，保护晶片背面的氮化硅层不被湿法刻蚀去除，具有制作成本低，有利于修复栅极电介质层完整性失效的优点。

主权项

一种应力记忆技术的NMOS器件制作方法，应用在具有硅衬底和NMOS器件的晶片上；在所述晶片器件面沉积第一氮化硅层，在所述晶片背面沉积第二氮化硅层，所述晶片尖峰退火后，其特征在于，该方法还包括：所述第一氮化硅层上沉积第一二氧化硅层，所述第二氮化硅层上沉积第二二氧化硅层；干法刻蚀去除所述第一二氧化硅层，露出第一氮化硅层；湿法刻蚀去除所述第一氮化硅层，保留晶片背面的第二氮化硅层和第二二氧化硅层不被刻蚀。