低成本太阳能电池和制造低成本太阳能电池用基板的方法

摘要

本发明公开了一种低成本太阳能电池和制造低成本太阳能电池用基板的方法。所述太阳能电池基本通过如下步骤来制备：蚀刻多个冶金级晶片；在每个晶片的背面上沉积铝层；在每个晶片的正面上沉积氢化的氮化硅层；在高温下对所述晶片进行退火；去除氢化的氮化硅层而没有干扰所述铝层。然后在所述晶片的正面上制造太阳能电池，同时所述铝仍作为电池的背接触。

主权项

一种利用冶金级硅制备基板的方法，包括：获得由冶金级硅构成的晶片；在所述晶片上进行预蚀刻；在所述晶片的正面上沉积牺牲层；在所述晶片的背面上沉积金属化层；在高温下对晶片进行退火；以及去除牺牲层而没有干扰所述金属化层，其中，沉积牺牲层包括在晶片的正面上沉积氮化硅的氢化层，沉积牺牲层进一步包括：在沉积氮化硅层之前将n‑型非晶硅层直接沉积在所述晶片的正面上，以及将所述氮化硅层直接沉积在所述n‑型非晶硅层上，将晶片掺杂为p‑型，并且在背面沉积金属化层包括：将p‑型非晶硅层直接沉积在所述晶片的背面上、将钛层沉积在所述p‑型非晶硅上以及将铝层沉积在所述钛层上。