发明名称 |
一种准循环低密度奇偶校验码编码方法和装置 |
摘要 |
本发明公开了一种准循环低密度奇偶校验码编码方法和装置,所述方法包括:比特预处理步骤,该步骤将输入编码器的信息比特序列一路作为码字的信息比特输出,另一路计算得到编码所需中间序列后存入编码器RAM阵列中;校验序列v(0)计算步骤,该步骤用于对在所述RAM阵列中相应RAM中读取的存储值进行模2和运算,得到v(0)后一路写入所述RAM阵列,另一路作为校验比特输出;剩余校验序列计算步骤,该步骤用于基于剩余校验序列递推公式,读取所述RAM阵列中存储的中间序列和v(0),通过流水线方式并行计算出剩余的校验序列后输出。本发明所述方法可以对传输的信息比特进行实时编码,不需要先存储一部分后再进行计算,编码速度快。 |
申请公布号 |
CN102377437B |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201010264523.9 |
申请日期 |
2010.08.27 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
张涛 |
分类号 |
H03M13/11(2006.01)I |
主分类号 |
H03M13/11(2006.01)I |
代理机构 |
工业和信息化部电子专利中心 11010 |
代理人 |
吴永亮 |
主权项 |
一种准循环低密度奇偶校验码QC‑LDPC编码方法,其特征在于,包括:比特预处理步骤,该步骤用于在信息比特序列输入编码器时,将所述信息比特序列一路作为码字的信息比特输出,另一路则基于处理各信息比特值所需的编码器RAM阵列中各RAM的读写地址,将每个输入的信息比特值与在所述RAM阵列中读取的存储值进行模2和运算,得到中间序列后按原读写地址存入所述RAM阵列中;校验序列v(0)计算步骤,该步骤用于基于计算v(0)所需的RAM阵列中RAM的读写地址,在所述RAM阵列中读取存储的中间序列,并利用模2和运算计算得到v(0)后,将得到的v(0)一路写入所述RAM阵列,另一路作为校验比特输出;剩余校验序列计算步骤,该步骤用于基于剩余校验序列递推公式,读取所述RAM阵列中存储的中间序列和v(0),通过流水线方式并行计算出剩余的校验序列后输出;其中,所述编码器RAM阵列中包含m<sub>b</sub>+1个大小为z比特的RAM单元RAM(0),RAM(1),…,RAM(m<sub>b</sub>);所述m<sub>b</sub>为QC‑LDPC码基础矩阵H<sub>b</sub>的行数。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 |