| 发明名称 | 一种用于制备等离子氮化栅极介质层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制备等离子氮化栅极介质层的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成二氧化硅层；在-100℃～0℃的温度条件下，向所述二氧化硅层中掺杂氮。在-100℃～0℃的低温条件下进行氮掺杂，降低氮离子的扩散效应，使更多的氮离子聚集在二氧化硅层的上表面，能够打断更多的Si-O键来与氮离子键合，提高等离子氮化栅极介质层的上表面氮含量，既能降低漏电流密度，又能提供高的栅极电容，从而提高器件的可靠性，抑制B<sup>+</sup>从栅极多晶硅扩散到栅氧中。 | ||
| 申请公布号 | CN104201109A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201410443794.9 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 肖天金;邱裕明;温振平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种用于制备等离子氮化栅极介质层的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成二氧化硅层；在‑100℃～0℃的温度条件下，向所述二氧化硅层中掺杂氮。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||