发明名称 用于存储器设备的芯片上冗余修复
摘要 用于存储器设备的芯片上冗余修复。存储器设备的实施例包括动态随机存取存储器(DRAM);以及与DRAM耦合的系统元件。系统元件包括用于控制DRAM的存储器控制器,以及与存储器控制器耦合的修复逻辑,修复逻辑持有被标识为对于DRAM的缺陷区域的失效地址的地址。修复逻辑被配置成接收存储器操作请求并且实现用于针对请求的操作地址的冗余修复。
申请公布号 CN104205232A 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201280072114.6 申请日期 2012.03.30
申请人 英特尔公司 发明人 D.科布拉;D.J.齐默曼;V.K.纳塔拉詹
分类号 G11C29/00(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I 主分类号 G11C29/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 臧永杰;姜甜
主权项 一种存储器设备包括:动态随机存取存储器(DRAM);以及与DRAM耦合的系统元件,系统元件包括:  用于控制DRAM的存储器控制器,以及  与存储器控制器耦合的修复逻辑,修复逻辑持有被标识为对于DRAM的缺陷区域的失效地址的地址;其中修复逻辑被配置成接收存储器操作请求并且实现用于针对请求的操作地址的冗余修复。
地址 美国加利福尼亚州