共面电极模拟光电探测器芯片

摘要

本实用新型公开一种共面电极模拟光电探测器芯片，包括：外延片以及形成于所述外延片背面的欧姆接触层；所述外延片包括：衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、钝化层、掺杂光敏区、限制沟、增透过渡薄膜层、P型电极金属层、N型电极金属层；所述顶层为n型至少三元以上的III-V族顶层；所述掺杂光敏区呈圆形，所述限制沟呈半圆环形，且所述限制沟围绕所述掺杂光敏区设置。本实用新型共面电极模拟光电探测器芯片制作工艺简单，成品率高，还具有低失真、低暗电流、高线性度、高响应度、高可靠性等特点。

主权项

一种共面电极模拟光电探测器芯片，其特征在于，包括：外延片以及形成于所述外延片背面的欧姆接触层；所述外延片包括：衬底，形成于所述衬底上的缓冲层，形成于所述缓冲层上的吸收层，形成于所述吸收层上的过渡层，形成于所述过渡层上的顶层，形成于所述顶层上的钝化层，形成于所述吸收层、过渡层与顶层中的掺杂光敏区，形成于所述吸收层、过渡层、顶层与钝化层中的限制沟，形成于所述掺杂光敏区上的增透过渡薄膜层，形成于所述掺杂光敏区与钝化层上的P型电极金属层，形成于所述限制沟与钝化层上的N型电极金属层；所述顶层为n型至少三元以上的III‑V族顶层；所述掺杂光敏区呈圆形，所述限制沟呈半圆环形，且所述限制沟围绕所述掺杂光敏区设置。