一种ESD保护的低热阻LED灯珠的封装结构

摘要

本实用新型公开了一种ESD保护的低热阻LED灯珠的封装结构，属于半导体封装技术领域。其在硅基本体之上设置彼此绝缘的再布线金属层Ⅰ、再布线金属层Ⅱ、再布线金属层Ⅲ和再布线金属层Ⅳ，IC芯片固定于再布线金属层Ⅲ的表面，其电极通过引线Ⅰ分别与再布线金属层Ⅰ、再布线金属层Ⅱ连接；在硅基本体之下设置彼此绝缘的金属块，在对应的两者之间设置填充金属的若干个硅通孔实现电气连通；IC芯片的外围设置中空的包封ESD芯片、引线Ⅱ的包封料层，其中空部分内填充填充剂。本实用新型利用圆片级封装技术，将LED芯片与ESD芯片集成整合到同一封装结构中，保证了LED灯珠在贴装工艺等使用中的抗静电冲击能力；同时，散热通路提升了LED灯珠的使用性能与寿命。

主权项

一种ESD保护的低热阻LED灯珠的封装结构，其包括硅基本体（1）、 IC芯片（2）和ESD芯片（7），所述IC芯片（2）带有电极Ⅰ和引线Ⅰ，所述ESD芯片（7）带有电极Ⅱ和引线Ⅱ，其特征在于：所述硅基本体（1）的上表面设置绝缘层Ⅰ（121），所述绝缘层Ⅰ（121）的上表面设置再布线金属层（31），所述再布线金属层（31）包括彼此绝缘的再布线金属层Ⅰ（311）、再布线金属层Ⅱ（312）、再布线金属层Ⅲ（313）和再布线金属层Ⅳ（314），所述再布线金属层Ⅲ（313）设置于再布线金属层Ⅰ（311）和再布线金属层Ⅱ（312）之间，所述再布线金属层Ⅳ（314）设置于再布线金属层Ⅰ（311）或再布线金属层Ⅱ（312）的外侧，所述IC芯片（2）固定于再布线金属层Ⅲ（313）的表面，其电极Ⅰ通过引线Ⅰ分别与再布线金属层Ⅰ（311）、再布线金属层Ⅱ（312）连接；所述ESD芯片（7）设置于再布线金属层Ⅰ（311）或再布线金属层Ⅱ（312）的表面，其顶部电极通过引线Ⅱ与再布线金属层Ⅳ（314）连接，其底部电极通过导电胶与再布线金属层Ⅰ（311）或再布线金属层Ⅱ（312）固连； 所述硅基本体（1）的下表面设置绝缘层Ⅱ（122），所述绝缘层Ⅱ（122）的下表面设置金属块（32），所述金属块（32）包括彼此绝缘的金属块Ⅰ（321）、金属块Ⅱ（322）和金属块Ⅲ（323），所述金属块Ⅲ（323）设置于IC芯片（2）的正下方，所述金属块Ⅰ（321）、金属块Ⅱ（322）分别设置于金属块Ⅲ（323）的两侧； 在所述硅基本体（1）的临近边缘的对应的所述再布线金属层（31）和金属块（32）之间设置贯穿硅基本体（1）的若干个硅通孔（11），所述硅通孔（11）内填充金属物（111），所述再布线金属层（31）和金属块（32）分别通过对应硅通孔（11）内的金属物（111）实现电气连通；所述IC芯片（2）的外围设置中空的包封料层（6），所述包封料层（6）包封ESD芯片（7）和引线Ⅱ，其中空部分内填充填充剂（5），所述填充剂（5）包裹IC芯片（2）和引线Ⅰ。