发明名称 |
压力调控薄膜晶体管及其应用 |
摘要 |
一种压力调控薄膜晶体管,其包括:一源极;一与该源极间隔设置的漏极;一半导体层,该半导体层与所述源极和漏极电连接;以及一栅极,该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置;其中,所述绝缘层为一高分子材料层,该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕,在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力,该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化,所述栅极电容与该厚度成反比,所述源极和漏极之间的电流与该栅极电容成正比。本发明还涉及一应用该压力调控薄膜晶体管的压力感应装置。 |
申请公布号 |
CN102856395B |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201110181626.3 |
申请日期 |
2011.06.30 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
胡春华;刘长洪;范守善 |
分类号 |
H01L29/96(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/96(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种压力调控薄膜晶体管,其包括:一源极;一与该源极间隔设置的漏极;一半导体层,该半导体层与所述源极和漏极电连接;以及一栅极,该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置;其中,所述绝缘层为一高分子材料层,该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕,所述压力调控薄膜晶体管使用时,在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力,该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化,所述栅极具有一电容,该电容与所述绝缘层的厚度成反比,所述源极和漏极之间具有一电流,该电流与该栅极的电容成正比,所述绝缘层的厚度为1纳米至10微米。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |