发明名称 一种低压差线性稳压器
摘要 本发明涉及电源电路技术,具体的说是涉及一种快速响应低压差线性稳压器。本发明所示的低压差线性稳压器,通过采用高摆率的OTA驱动功率管的栅极,并且采用摆率增强电路加快功率管栅极的电位变化,从而在输出电压发生跳变时,能够在极短的时间内为功率管的栅极提供大的充电和放电电流,使功率管的栅电压能够得到快速的变化,极大的克服了由于功率管栅极寄生的大电容所造成的摆率小的问题,从而大大提高了LDO电路的摆率,减小了输出电压尖峰。本发明的有益效果为,本发明的电路结构简单,且采用片上集成技术,不再需要大的片外负载电容,减小了系统外围应用成本。本发明尤其适用于低压差线性稳压器。
申请公布号 CN103472880B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201310418154.8 申请日期 2013.09.13
申请人 电子科技大学 发明人 周泽坤;李涅;许天辉;朱世鸿;石跃;明鑫;王卓;张波
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 李顺德;王睿
主权项 一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第十二PMOS管MP12、第十三PMOS管MP13、功率PMOS管MP、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12、第十三NMOS管MN13、第十四NMOS管MN14、第十五NMOS管MN15、第十六NMOS管MN16、第十七NMOS管MN17、第十八NMOS管MN18、第十九NMOS管MN19、电阻RM和电容CM;第五PMOS管MP5的源极、第六PMOS管MP6的源极、第十PMOS管MP10的源极、功率PMOS管MP的源极、第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的漏极、第三NMOS管MN3的漏极、第四NMOS管MN4的漏极、第十六NMOS管MN16的漏极和第十七NMOS管MN17的漏极连接电源VDD;第一NMOS管MN1的栅极、第二NMOS管MN2的栅极和第十七NMOS管MN17的栅极连接输入基准电压VREF;第一NMOS管MN1的源极连接第一PMOS管MP1的源极,第一PMOS管MP1的栅极和漏极连接第二PMOS管MP2的栅极、第六NMOS管MN6的漏极与第七NMOS管MN7的漏极;第二NMOS管MN2的源极连接第三PMOS管MP3的源极,第三NMOS管MN3的源极连接第二PMOS管MP2的源极,第二PMOS管MP2的漏极连接第八NMOS管MN8的漏极和栅极与第五NMOS管MN5的栅极;第三PMOS管MP3的栅极连接第四PMOS管MP4的栅极和漏极、第十NMOS管MN10的漏极与第十一NMOS管MN11的漏极,第四PMOS管MP4的源极连接第四NMOS管MN4的源极;第三PMOS管MP3的漏极连接第九NMOS管MN9的漏极和栅极、第十二NMOS管MN12的栅极,第十二NMOS管MN12的漏极连接第六PMOS管MP6的漏极、电容CM的一端、功率PMOS管MP的栅极、第十PMOS管MP10的栅极和第十四NMOS管MN14的漏极,第六PMOS管MP6的栅极连接第五PMOS管MP5的栅极和漏极与第五NMOS管MN5的漏极;第六NMOS管MN6的栅极连接第十一NMOS管MN11的栅极、第十三NMOS管MN13的栅极和漏极、第十PMOS管MP10的漏极;第七NMOS管MN7的栅极、第十NMOS管MN10的栅极、第十八NMOS管MN18的栅极和第十九NMOS管MN19的栅极连接输入偏置电压VB;电容CM的另一端和电阻RM的一端连接,第三NMOS管MN3的栅极、第四NMOS管MN4的栅极和第十六NMOS管N16的栅极连接功率PMOS管MP的漏极、电阻RM的另一端和第七PMOS管MP7的源极的连接点作输出端VOUT;第七PMOS管MP7的栅极和漏极与第八PMOS管MP8的源极连接,第八PMOS管MP8的栅极和漏极与第九PMOS管MP9的源极连接;第十四NMOS管MN14的栅极连接第十五NMOS管MN15的栅极和漏极、第十一PMOS管MP11的漏极,第十一PMOS管MP11的栅极连接第十二PMOS管MP12的漏极和第十八NMOS管MN18的漏极;第十二PMOS管MP12的栅极连接第十三PMOS管MP13的栅极和漏极、第十九NMOS管MN19的漏极,第十二PMOS管MP12的源极连接第十六NMOS管MN16的源极;第十一PMOS管MP11的源极连接第十三PMOS管MP13的源极和第十七NMOS管MN17的源极;第九PMOS管MP9的栅极和漏极、第五NMOS管MN5的源极、第六NMOS管MN6的源极、第七NMOS管MN7的源极、第八NMOS管MN8的源极、第九NMOS管MN9的源极、第十NMOS管MN10的源极、第十一NMOS管MN11的源极、第十二NMOS管MN12的源极、第十三NMOS管MN13的源极、第十四NMOS管MN14的源极、第十五NMOS管MN15的源极、第十八NMOS管MN18的源极、第十九NMOS管MN19的源极均接地电位VSS。
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