发明名称 音频POP音的消除方法及耳机音频电路
摘要 本发明涉及音频处理,公开了一种音频POP音的消除方法及耳机音频电路。本发明中,在初始化编译码器之前,利用与耳机并联的两MOS管,对两隔直电容进行充电。待充电完成后,再关断两MOS管。由于MOS管道通阻抗很小,仅几十毫欧级,因此,在初始化编译码器之前,通过两MOS管对两隔直电容进行充电,可彻底消除POP音,使得耳机中完全听不到POP音。而且在隔直电容充电完成后,再关闭两MOS管,可使得该过程不会对耳机的正常工作造成影响。
申请公布号 CN102572642B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201010588175.0 申请日期 2010.12.14
申请人 联芯科技有限公司 发明人 刘峰;康书峰
分类号 H04R3/00(2006.01)I 主分类号 H04R3/00(2006.01)I
代理机构 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人 卢刚
主权项 一种音频POP音的消除方法,其特征在于,包含以下步骤:在初始化编译码器之前,通过导通与耳机的右声道并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管,对与所述编译码器的右输出端相连的第一隔直电容进行充电;通过导通与耳机的左声道并联的第二MOS管,对与所述编译码器的左输出端相连的第二隔直电容进行充电;在导通所述第一MOS管和所述第二MOS管后,初始化所述编译码器;所述初始化完成后延时预定时长T,并在延时所述T后,断开所述第一MOS管和所述第二MOS管;所述编译码器通过所述右输出端向所述耳机的右声道输出音频信号;通过所述左输出端向所述耳机的左声道输出音频信号;其中,向所述第一MOS管和所述第二MOS管的G引脚输出高电平或低电平,控制所述第一MOS管和所述第二MOS管的导通或断开。
地址 201206 上海市浦东新区明月路1258号