发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
在使用了宽能带隙半导体的JBS二极管中,宽能带隙半导体的内置电位大,所以有时pn二极管部不易导通,由此有时无法充分确保浪涌电流抗性。为了解决这个问题,在宽能带隙JBS二极管中,在从肖特基电极离开了的部位形成pn二极管的pn结,另外在从肖特基电极离开了的部位将阱区域的宽度形成得较窄。 |
申请公布号 |
CN104205344A |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201380017760.7 |
申请日期 |
2013.02.26 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
田中梨菜;古川彰彦;今泉昌之;阿部雄次 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
金光华 |
主权项 |
一种半导体器件,其特征在于,具备:第1导电类型的宽能带隙半导体基板;第1导电类型的漂移层,形成于所述宽能带隙半导体基板的第1主面,并由宽能带隙半导体构成;多个第2导电类型的第1阱区域,在所述漂移层的表层部中,以规定的间隔相互邻接地形成;第2阱区域,在所述第1阱区域的所述半导体基板侧与所述第1阱区域邻接,以比所述第1阱区域低的第2导电类型杂质浓度、且比所述第1阱区域小的宽度来形成;肖特基电极,形成于所述漂移层以及所述第1杂质区域的表面上,与所述漂移层进行肖特基连接;以及欧姆电极,与所述半导体基板的所述第1主面的相反侧的第2主面相接地形成。 |
地址 |
日本东京 |