发明名称 | 一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法,其特征在于,具体步骤包括:步骤1:在N型单晶硅片的正面制绒,使用磷扩散,刻蚀清洗,镀减反膜;步骤2:在N型单晶硅片的背面印刷全铝背场并烘干;步骤3:在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结;步骤4:在全铝背场上印刷导电银浆作为电极并烘干。本发明实现了在传统P型电池生产线上生产N型单晶电池,避免了整线设备二次巨额投入、扩散工艺改变等问题,降低N型电池的直接制造成本,降低了N型单晶批量化生产的入门条件,避免了高成本设备投入、扩散工艺改变等问题,降低N型电池的制造成本,配合全铝背结构工艺,提高了其转换效率。 | ||
申请公布号 | CN104201250A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
申请号 | CN201410476345.4 | 申请日期 | 2014.09.18 |
申请人 | 百力达太阳能股份有限公司 | 发明人 | 陆海斌 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 翁若莹 |
主权项 | 一种全铝背发射极N型单晶电池的制作方法,其特征在于,具体步骤包括:步骤1:在N型单晶硅片的正面制绒,使用磷扩散,刻蚀清洗,镀减反膜;步骤2:在N型单晶硅片的背面印刷全铝背场并烘干;步骤3:在N型单晶硅片的正面印刷主副栅线电极银浆并烧结;步骤4:在全铝背场上印刷导电银浆作为电极并烘干。 | ||
地址 | 314512 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇工业园 |