| 发明名称 | 一种恒磁导率、高饱和磁感应强度、磁导率变化率在1%以内的纳米晶软磁合金及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种恒磁导率、高饱和磁感应强度、磁导率变化率在1％以内的纳米晶软磁合金，其组成成份及原子个数如下：铁67-80份；硅10-14份；硼7-11份；铌2-4份；铜0.5-1.5份；镍0.5-2份。本发明合金的磁导率恒定为20000，磁导率变化率在1％以内，饱和磁感应强度为1.3T，因磁导率是恒定的，大大地扩大了纳米晶软磁材料的应用范围，给人们的使用带来了极大的便利，可以应用在精密电流互感器上很好地解决了因磁导率线性度不好而引起的角差问题，同时还具较好的抗直流效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104200945A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201410376525.5 | 申请日期 | 2014.07.30 |
| 申请人 | 天津奥纳科技有限公司 | 发明人 | 安海路 |
| 分类号 | H01F1/147(2006.01)I;C22C38/16(2006.01)I;C22C33/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01F1/147(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人 | 赵熠 |
| 主权项 | 一种恒磁导率、高饱和磁感应强度、磁导率变化率在1％以内的纳米晶软磁合金，其特征在于：其组成成份及原子个数如下：<img file="FDA0000545790100000011.GIF" wi="538" he="556" /> | ||
| 地址 | 301914 天津市蓟县天津专用汽车产业园蓟运河大街北街 | ||