发明名称 半导体集成电路
摘要 本发明提供一种半导体集成电路,在NAND单元型EEPROM中,在数据写入动作中并行执行写入数据输入动作,使得整个数据写入顺序所需时间缩短。其中,具有在动作结束后在将该动作的成功/失败结果保持于芯片内的第1动作及第2动作,在第1动作和第2动作连续进行时,具有在第1和第2动作结束后把第1动作和第2动作这两者的成功/失败结果输出的动作。
申请公布号 CN104200841A 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201410341295.9 申请日期 2002.12.19
申请人 株式会社东芝 发明人 中村宽;今宫贤一;山村俊雄;细野浩司;河合矿一
分类号 G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C7/06(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 付建军
主权项 一种半导体存储装置,其特征在于,具备:设置有多个存储器的存储器阵列;闩锁电路,连接到上述存储器阵列,执行第1动作;以及数据高速缓存电路,连接到上述闩锁电路,执行第2动作,其中,上述第1动作和上述第2动作能够并行执行;且将表示上述第1动作是否在执行中的第1就绪/忙信息及表示上述第2动作是否能够执行的第2就绪/忙信息这两者同时向半导体存储装置外部输出,使用上述闩锁电路执行上述第1动作,使用上述数据高速缓存电路执行上述第2动作,上述第1动作是数据读出动作,上述第2动作是向半导体存储装置外部输出数据的动作。
地址 日本东京都