| 发明名称 | 石墨预热片、半导体预热装置、硅芯炉及磷检炉 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种石墨预热片及半导体预热装置，所述石墨预热片包括本体，所述本体上设置有多个通孔。所述半导体预热装置，位于硅芯炉内部，包括高频线圈和与所述高频线圈同轴设置的石墨预热片。本发明实施例还提供了一种使用该半导体预热装置的硅芯炉和磷检炉。本发明实施例的石墨预热片可以使高频线圈发出的磁线穿过通孔到达母料，使母料在温度有一定程度升高变成导磁体后，产生涡流效应，从而使母料快速地熔化。 | ||
| 申请公布号 | CN102505145B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201110333579.X | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 江西赛维LDK太阳能多晶硅有限公司 | 发明人 | 曹泽俊;刘华 |
| 分类号 | C30B35/00(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I;C30B13/18(2006.01)I;C30B13/28(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | C30B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种半导体预热装置，位于硅芯炉内部，包括高频线圈，其特征在于：还包括与所述高频线圈同轴设置的石墨预热片，所述石墨预热片包括本体，所述本体上设置有多个通孔，所述石墨预热片置于所述高频线圈的下沿，但不与高频线圈相接触。 | ||
| 地址 | 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 | ||