| 发明名称 | 小尺寸图形的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种小尺寸图形的制作方法，先在晶圆表面采用热氧化法生长一层氧化硅，接着沉积一层多晶硅，然后沉积一层氮化硅，通过后续光刻以及刻蚀工艺形成多晶硅线形阵列图形，接着应用LEC工艺对多晶硅线形阵列图形进行曝光和刻蚀，其中，所述小尺寸图形的制作方法还包括：利用低温原子层沉积技术沉积一层氧化硅薄膜；利用干法刻蚀工艺依次对所述氧化硅薄膜、所述含硅抗反射涂层、所述旋涂碳氧化物、所述氮化硅进行刻蚀，最终停在所述多晶硅上；通过等离子体刻蚀工艺祛除所述旋涂碳氧化物残留；最后利用所述氮化硅作为阻挡层刻蚀所述多晶硅，形成小尺寸且可调控的图形结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104201097A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201410443662.6 | 申请日期 | 2014.09.02 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 崇二敏;李全波;孟祥国 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种小尺寸图形的制作方法，先在晶圆表面采用热氧化法生长一层氧化硅，接着沉积一层多晶硅，然后沉积一层氮化硅，通过后续光刻以及刻蚀工艺形成多晶硅线形阵列图形，接着应用LEC工艺对多晶硅线形阵列图形进行曝光和刻蚀，其特征在于，所述小尺寸图形的制作方法还包括：利用低温原子层沉积技术沉积一层氧化硅薄膜；利用干法刻蚀工艺依次对所述氧化硅薄膜、所述含硅抗反射涂层、所述旋涂碳氧化物、所述氮化硅进行刻蚀，最终停在所述多晶硅上；通过等离子体刻蚀工艺祛除所述旋涂碳氧化物残留；最后利用所述氮化硅作为阻挡层刻蚀所述多晶硅，形成小尺寸且可调控的图形结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||