| 发明名称 | 高电容密度金属-绝缘体-金属电容器 | ||
| 摘要 | 本发明提供包括高电容密度金属-绝缘体-金属电容器的系统、方法和设备。在一个方面中，设备包含位于衬底(1002)的第一侧上的第一基底金属层(1004)。第一聚合物层(1012)安置于所述第一基底金属层上和所述衬底的所述第一侧上。所述第一聚合物层界定穿过所述第一聚合物层的第一多个通孔(1014)，所述第一多个通孔暴露所述第一基底金属层的部分。第一电极层(1016)安置于所述第一聚合物层上。所述第一电极层接触所述第一基底金属层的所述部分。第一电介质层(1020)安置于所述第一电极层上。第二电极层(1024)安置于所述第一电介质层上。所述第一电介质层电隔离所述第一电极层与所述第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN104205389A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201380014699.0 | 申请日期 | 2013.02.20 |
| 申请人 | 高通MEMS科技公司 | 发明人 | 乔恩·布拉德利·拉斯特;拉温德拉·V·社诺伊;贾斯汀·菲尔普斯·布莱克;唐纳德·威廉·基德韦尔 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L49/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孙宝成 |
| 主权项 | 一种设备，其包括：第一基底金属层，其在衬底的第一侧上；第一聚合物层，其安置于所述第一基底金属层上和所述衬底的所述第一侧上，所述第一聚合物层界定穿过所述第一聚合物层的暴露所述第一基底金属层的部分的第一多个通孔；第一电极层，其安置于所述第一聚合物层上，所述第一电极层接触所述第一基底金属层的所述部分；第一电介质层，其安置于所述第一电极层上；以及第二电极层，其安置于所述第一电介质层上，所述第一电介质层电隔离所述第一电极层与所述第二电极层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||