半导体装置

摘要

一种半导体装置，包括：设置在具有绝缘表面的衬底上的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的按顺序层叠的第一导电层、第二导电层；覆盖氧化物半导体层、包括栅电极(所述第一导电层及所述第二导电层)的栅极布线的绝缘膜；以及在绝缘膜上的按顺序层叠第三导电层、第四导电层的电连接到氧化物半导体层。所述栅电极使用第一导电层形成。所述栅极布线使用第一导电层和第二导电层形成。源电极使用第三导电层形成。源极布线使用第三导电层和第四导电层形成。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在衬底上形成氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上形成氮化硅膜；在所述氮化硅膜上形成氧化硅膜；除去所述氧化硅膜的一部分；在所述氧化硅膜上形成具有透光性的导电膜；在所述氧化物半导体膜上通过使用多级灰度掩模形成抗蚀剂掩模；以及对所述抗蚀剂掩模进行灰化以减小该抗蚀剂掩模的尺寸。