| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在使用金属纳米粒子对导电柱(8)和被接合构件即半导体芯片(6)或带导电图案的绝缘基板(4)进行金属粒子接合的情况下，通过将导电柱(8)的前端的底面(12)形成为凹状，从而能获得牢固的接合层。 | ||
| 申请公布号 | CN104205328A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201380012403.1 | 申请日期 | 2013.02.13 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 梨子田典弘 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H05K1/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 俞丹 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有半导体芯片和导电连接体，其特征在于，在固定于被接合材料的导电连接体的前端的底面形成有凹部，在该凹部中使用金属纳米粒子来与被接合材料相接合。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||