在单晶基板上形成悬浮物件的方法

摘要

本发明公开一种在单晶(monolithic)基板上形成悬浮物件的方法，其中所述单晶基板的硅基层上具有由至少一湿式蚀刻区、至少一电路区及至少一微结构区所组成的电路层，所述湿式蚀刻区是作为所述电路区与所述微结构区间的区隔，并往下延伸至所述硅基层的表面，进而形成从基板上方蚀刻所述硅基层的蚀刻路径，接着以干式蚀刻的方式分别从硅基层的上、下两面进行蚀刻而悬浮所述微结构区。

主权项

一种在单晶基板上形成悬浮物件的方法，其特征在于，其包括：(a)提供一单晶基板，其是由一硅基层以及所述硅基层上方的电路层所组成，所述电路层中具有至少一湿式蚀刻区，且所述湿式蚀刻区是延伸至硅基层的表面；所述电路层具有至少一电路区以及至少一微结构区，且所述湿式蚀刻区是设置于所述电路区与所述微结构区之间；(b)以湿蚀刻的方式移除湿式蚀刻区内的材料，直至所述硅基层；(c)以非等向性的干蚀刻方式，对湿式蚀刻区底部的硅基层进行蚀刻，至一预定的蚀刻深度；在蚀刻完成后，以一帽盖封装所述至少一微结构区的上方；以及(d)在硅基层下表面相对所述电路区的位置处形成一蚀刻阻层，从所述单晶基板下表面移除部分的硅基层，直至步骤(c)中的预定蚀刻深度位置处；在蚀刻完成后，以一帽盖封装所述硅基层相对所述至少一微结构区的下方位置处。