半导体晶片的制造方法

摘要

一种用于制造半导体晶片的方法，其包括：(a)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆；(b)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层；(c)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(d)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(e)用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；(f)利用包含磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)至少对正面进行化学机械抛光。

主权项

用于制造半导体晶片的方法，其包括：(a)利用包含平均粒径为20.0至60.0μm的磨料的研磨圆盘对由单晶切割的半导体晶片的边缘进行导圆；(b)对半导体晶片以全表面加工方式同时进行双面去除材料式加工，所述半导体晶片以可自由移动的方式位于多个利用滚动装置旋转的载体圆盘之一的凹坑中，并由此以摆线轨迹移动，其中半导体晶片在2个旋转的环形加工圆盘之间进行加工，每个加工圆盘具有包含平均粒径为5.0至20.0μm的磨料的加工垫；(c)对半导体晶片以全表面加工方式同时进行双面去除材料式加工，所述半导体晶片以可自由移动的方式位于多个利用滚动装置旋转的载体圆盘之一的凹坑中，并由此以摆线轨迹移动，其中半导体晶片在2个旋转的环形加工圆盘之间进行加工，每个加工圆盘具有包含平均粒径为0.5至15.0μm的磨料的加工垫，粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(d)利用包含平均粒径为1.0μm至最大20.0μm的磨料的研磨圆盘对半导体晶片的边缘进行导圆，粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(e)在半导体晶片的每面的材料去除量不多于1μm的情况下，用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；(f)利用包含平均粒径为0.1至1.0μm的磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)至少对正面进行化学机械抛光。