用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：在形成有电极焊盘的衬底上形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有曝光所述电极焊盘的开口；形成感光性树脂膜；通过使用多等级掩模曝光所述感光性树脂膜并且将所述感光性树脂膜显影，一次性地形成由所述感光性树脂膜构成的树脂保护膜和由具有的厚度比所述树脂保护膜的厚度大的所述感光性树脂膜构成的树脂核心；以及从所述树脂核心的上侧到所述电极焊盘的上侧形成互连。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在形成有电极焊盘的衬底上，形成保护绝缘膜，所述保护绝缘膜具有用以曝光所述电极焊盘的开口；形成感光性树脂膜；通过多等级掩模对所述感光性树脂膜执行一次曝光并且对所述感光性树脂膜一次显影，一次性地形成由所述感光性树脂膜构成的树脂保护膜和由具有的厚度比所述树脂保护膜的厚度大的所述感光性树脂膜构成的树脂核心；以及从所述树脂核心的上侧到所述电极焊盘的上侧形成互连，其中，在所述的形成树脂保护膜和树脂核心中，多个所述树脂核心被线性地布置，所述树脂核心的形成区域中的曝光量被设定为多个级别，并且在所述树脂核心的侧面之中，在所述互连的引出方向上的侧面的倾斜度比在所述树脂核心的对准方向上的侧面的倾斜度缓和。