| 发明名称 | 薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In<sub>2-x</sub>Ga<sub>x</sub>ZnO<sub>4-δ</sub>表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101931009B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201010209348.3 | 申请日期 | 2010.06.21 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 梅田贤一;铃木真之;田中淳;奈良裕树 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包含活性层，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In<sub>2‑x</sub>Ga<sub>x</sub>ZnO<sub>4‑δ</sub>表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(‑x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>的晶体结构的IGZO的单相形成，并且其中所述活性层的电阻率的值为1×10<sup>2</sup>Ω·cm至1×10<sup>9</sup>Ω·cm。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||