硅通孔晶片的抛光方法和用于该方法的抛光组合物

摘要

本发明涉及硅通孔晶片的抛光方法和用于该方法的抛光组合物。所述方法包括：使用包含有机碱性化合物、选自亚氯酸钠和/或溴酸钾的氧化剂、多个二氧化硅研磨颗粒和溶剂的抛光组合物对硅通孔晶片的表面进行抛光处理，以使硅通孔晶片上的硅和导电材料各自以一移除速率被移除。通过本发明的方法，可使得硅通孔晶片上的硅和导电材料分别以较高的抛光速率被抛光，从而大幅减少抛光硅通孔晶片所需的工时成本。本发明还涉及上述方法所使用的抛光组合物。

主权项

硅通孔TSV晶片的抛光方法，包括：使用包含有机碱性化合物、选自亚氯酸钠和/或溴酸钾的氧化剂、多个二氧化硅研磨颗粒和溶剂的抛光组合物对所述TSV晶片的表面进行抛光处理以使所述TSV晶片上的硅和导电材料同时被移除的步骤，其中所述二氧化硅研磨颗粒占所述抛光组合物的1.25重量％～10重量％，其中所述有机碱性化合物选自二胺类、三胺类、四胺类、或它们的组合，其中所述有机碱性化合物占所述抛光组合物的0.5重量％～2重量％，其中所述氧化剂占所述抛光组合物的0.4重量％～3重量％。