一种生产半导体晶片抛光垫的方法

摘要

本发明提供抛光垫和用于生产该抛光垫的方法，该抛光垫能够同时解决问题如划痕出现、抛光速率变化或劣化、在晶片面内抛光量的大量变化、抛光浆料过量消耗和不可能在抛光对象和抛光垫之间保持适当浆料，该抛光垫对将抛光速率保持在适当值和对改进抛光后抛光对象的面内均匀性尤其有用，且对例如半导体晶片等的化学机械抛光在生产上非常有用。该抛光垫由在抛光面内具有凹槽的聚氨酯泡沫体形成。凹槽形成面，即，凹槽的侧面和底面的表面粗糙度(Ra)不大于10。用于生产该抛光垫的方法包括逐步改变凹槽加工刀片的进给速度和进给量，以在抛光面内形成截面为矩形的同心圆形凹槽。

主权项

一种生产半导体晶片抛光垫的方法，其包括通过逐步改变凹槽加工工具的进给速度和进给量来机械切割，以在抛光表面上形成具有矩形截面形状的同心圆形凹槽的步骤，所述半导体晶片抛光垫包含抛光层，其中所述抛光层由多孔材料形成。