一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法，以固定In组分的InGaN作为阱层，采用不同的AlGaN-GaN作为垒层，包括Al组分固定的AlGaN垒层、Al组分沿生长方向连续减少的AlGaN垒层和GaN垒层，本发明所述的InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构能够有效缓解少垒和阱界面处的应力，缓解能带的弯曲，控制电子和空穴的辐射复合区域，提高电子和空穴的注入效率和辐射复合效率，从而有利于进一步获得晶体质量好、内量子效率高、发光效率高的GaN基LED结构。

主权项

一种InGaN/AlGaN‑GaN基多量子阱结构，其特征在于，其结构沿生长方向依次为：第一AlGaN‑GaN垒层、In组分固定的InGaN量子阱层、第二AlGaN‑GaN垒层、In组分固定的InGaN量子阱层、第三AlGaN‑GaN垒层、In组分固定的InGaN量子阱层、第四AlGaN‑GaN垒层、In组分固定的InGaN量子阱层、第五AlGaN‑GaN垒层、In组分固定的InGaN量子阱层以及第六GaN垒层；所述第一AlGaN‑GaN垒层沿生长方向依次包括固定Al组分的Al_aGa_1‑aN垒层、Al组分均沿生长方向呈连续性减小的第一AlGaN垒层、第一GaN垒层；第一AlGaN垒层的Al组分沿生长方向从a变为0，其中a的取值范围为0.08‑0.1；所述第二AlGaN‑GaN垒层沿生长方向依次包括固定Al组分的Al_bGa_1‑bN垒层、Al组分均沿生长方向呈连续性减小的第二AlGaN垒层、第二GaN垒层；第二AlGaN垒层的Al组分沿生长方向从b变为0，其中b的取值范围为0.06‑0.08；所述第三AlGaN‑GaN垒层沿生长方向依次包括固定Al组分的Al_cGa_1‑cN垒层、Al组分均沿生长方向呈连续性减小的第三AlGaN垒层、第三GaN垒层；第三AlGaN垒层的Al组分沿生长方向从c变为0，其中c的取值范围为0.04‑0.06；所述第四AlGaN‑GaN垒层沿生长方向依次包括固定Al组分的Al_dGa_1‑dN垒层、Al组分均沿生长方向呈连续性减小的第四AlGaN垒层和第四GaN垒层；第四AlGaN垒层的Al组分沿生长方向从d变为0，其中d的取值范围为0.02‑0.04；所述第五AlGaN‑GaN垒层沿生长方向依次包括固定Al组分的Al_eGa_1‑eN垒层、Al组分均沿生长方向呈连续性减小的第五AlGaN垒层和第五GaN垒层；第五AlGaN垒层的Al组分沿生长方向从e变为0，其中e的取值范围为0‑0.02。