半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。

主权项

一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置，该半导体装置的特征在于，包括：碳化硅半导体外延层，其层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；和第2导电型杂质区域，其是通过1级离子注入向该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成的，该第2导电型杂质区域具有如下的分布：其表面附近的第2导电型杂质浓度相对小，且深部的第2导电型杂质浓度相对高，将所述第2导电型杂质区域与所述碳化硅半导体外延层的边界部设为最深部，该最深部附近的第2导电型杂质浓度是10¹⁸/cm³以上的高浓度，以该最深部附近作为峰值，从该最深部附近到深部侧，第2导电型杂质浓度的变化相对于距所述表面的深度的变化急剧，从该最深部附近越接近表面，第2导电型杂质浓度相对于距所述表面的深度的变化越连续且缓慢地下降，所述表面附近的第2导电型杂质浓度在5×10¹⁵/cm³以下。