发明名称 |
一种制备铟靶材金属薄膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备铟靶材金属薄膜的方法,添加一种或几种熔点高于铟的金属固溶或合金化于铟金属,改变了铟的物性而提高铟本身在物理气象的沉积方法,大大降低了前趋物金属薄膜的表面粗度,使其在硒化与硫化过程中可以降低吸收层的表面粗度,使制得吸收层成分均一,满足了生产的要求。 |
申请公布号 |
CN102925868B |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201210497497.3 |
申请日期 |
2012.11.29 |
申请人 |
研创应用材料(赣州)有限公司 |
发明人 |
黄信二 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
杨志宇 |
主权项 |
一种制备铟靶材金属薄膜的方法,其特征为:将铟金属中添加原子百分比为10% 的铜做成溅镀制程用的直径3寸的靶材,把所需镀着玻璃基材放入溅镀腔体中,以真空抽气系统将溅镀腔体背景压力抽至0.7×10<sup>‑5</sup>‑0.9×10<sup>‑5</sup> torr后,利用氩气当作工作气体,透过节流阀将通入氩气控制溅镀腔体的工作压力为1×10<sup>‑2</sup>torr,以直流功率100瓦进行60分钟的溅镀制程,制得平坦化铟金属薄膜。 |
地址 |
341000 江西省赣州市开发区香港工业园北区标准厂房六栋 |