相变存储器

摘要

本实用新型提供一种相变存储器，N个相变存储单元，其中，N为自然数；所述相变存储单元至少包括：字线，位线，以及位于所述字线和所述位线交叉处的相变电阻，所述相变电阻在沿所述位线方向的左右两侧各设至少一个伪单元，以增加所述相变存储器的版图密度。本实用新型通过在相变电阻的附近设置伪单元，增加了相变存储器的版图密度，且该伪单元由于不导通相变区域产生相变所需的电流，不会影响其它器件性能，从而使下电极的器件性能得以改善；由于有效地改善了下电极的器件性能，因而能够通过缩小下电极的方法，减小下电极和相变材料之间的接触面积，从而减小相变区域体积，进而降低该相变区域产生相变所需的电流，从而降低了相变存储器的功耗。

主权项

一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器至少包括：N个相变存储单元，其中，N为自然数；所述相变存储单元至少包括：字线，位线，以及位于所述字线和所述位线交叉处的相变电阻，所述相变电阻在沿所述位线方向的左右两侧各设至少一个伪单元，以增加所述相变存储器的版图密度。