成膜方法及成膜装置

摘要

本发明提供成膜方法及成膜装置。该成膜方法用于在处理容器内在被处理体的表面形成氧化硅膜，其包括：吸附工序，向处理容器内供给由硅烷系气体构成的晶种气体并使上述晶种气体吸附在被处理体的表面；膜形成工序，向处理容器内供给作为原料气体的含硅气体和含杂质的添加气体而形成被添加了杂质的硅膜；氧化工序，使硅膜氧化而将其转换成氧化硅膜。由此，在被处理体的表面形成高密度且高应力的氧化硅膜。

主权项

一种成膜方法，其用于在处理容器内在被处理体的表面形成氧化硅膜，其特征在于，该成膜方法包括下述工序：吸附工序，通过向上述处理容器内供给由硅烷系气体构成的晶种气体，使上述晶种气体吸附在上述被处理体的表面从而形成晶种层；膜形成工序，通过向上述处理容器内供给作为原料气体的含硅气体和含杂质的添加气体，而在上述晶种层上形成被添加了上述杂质的非结晶型硅膜；以及氧化工序，使上述非结晶型硅膜氧化，从而将上述非结晶型硅膜转换为氧化硅膜，其中，以上述吸附工序、膜形成工序和氧化工序的顺序反复进行各工序。