小型三维垂直NAND 及其制造方法

摘要

一种NAND装置，至少具有垂直NAND串(180)的3x3子阵列，其中控制栅极电极(3，3a，3b，3aL，3aR)在子阵列中是连续的并且在子阵列中没有气隙或电介质填充的沟槽。气隙或电介质填充沟槽(53，63)将NAND的下选择栅极(51)和上选择栅极(61)分别与在相同子阵列中的相邻NAND串的相应的选择栅极分开。气隙或电介质填充沟槽(81)可以分开整个NAND串阵列的不同的子阵列块。NAND装置通过以下方式形成：首先形成具有分开的下选择栅极(51)的下选择栅极层，然后形成包含多个NAND串部分的多个存储装置层级，并且然后存储装置层级之上形成具有分开的上选择栅极(61)的上选择栅极层级(60)，多个NAND串部分包括连续的网状控制栅极电极(3)。

主权项

一种NAND装置，包括：垂直NAND串的阵列，其中，每个NAND串包括半导体沟道，隧道电介质设置为邻近该半导体沟道，电荷存储区域设置为邻近该隧道电介质，并且阻挡电介质设置为邻近该电荷存储区域；该半导体沟道的至少一个端部大体上垂直于衬底的主表面延伸；并且该阵列至少包括NAND串的3x3阵列；多个控制栅极电极，具有网状，大体上平行于该衬底的该主表面延伸，其中该多个控制栅极电极至少包括位于第一装置层级中的第一控制栅极电极以及位于第二装置层级中的第二控制栅极电极，该第二装置层级位于该衬底的该主表面之上以及该第一装置层级之下，其中，该第一控制栅极电极和该第二控制栅极电极在该阵列中是连续的。