发明名称 | 光电半导体装置及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种光电半导体装置及其制造方法,光电半导体装置包含载具及光电转换结构,且光电半导体装置的内部形成孔洞结构,使光电转换结构所发射光线的前进方向,在孔洞结构处被改变以致于远离载具,并朝向载具的法线方向。 | ||
申请公布号 | CN102130220B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
申请号 | CN201010002187.0 | 申请日期 | 2010.01.13 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 张利铭;柯丁嘉;郭得山;柯淙凯;洪详竣 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
主权项 | 一种光电半导体装置,包含:载具,定义一法线方向;光电转换结构,设置于该载具之上,该光电转换结构可进行光电转换以发射光线;以及至少一内部表面,形成于该光电半导体装置中,以定义至少一孔洞结构于该载具与该光电转换结构之间;其中,该至少一孔洞结构具有折射率,使该光线行进至该至少一孔洞结构时改变方向,并远离该载具朝该法线方向行进,其中该至少一孔洞结构位于该光电转换结构中且位于该光电转换结构的下表面。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |