带有具有倒圆拐角的多个支柱的交叉点非易失性存储器件及其制造方法

摘要

非易失性存储器件包括多个支柱(1)，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，非易失性存储单元包括转向元件(110)和存储元件(118)，并且多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。制造非易失性存储器件的方法包括形成器件层的叠层以及图案化叠层从而形成多个支柱，其中多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储单元，该非易失性存储单元包括转向元件和存储元件，并且其中多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆。

主权项

一种制造非易失性存储器件的方法，包括： 形成器件层的叠层；以及 图案化所述叠层从而形成多个支柱； 其中： 所述多个支柱中的每一个支柱的顶部拐角或底部拐角的至少一个被倒圆；以及 所述多个支柱中的每一个支柱包括非易失性存储器单元，其包括转向元件和存储元件； 其中，形成器件层的叠层的步骤包括： 形成第一导电类型半导体层； 在所述第一导电类型半导体层之上形成第二导电类型半导体层；以及 在所述第二导电类型半导体层之上形成存储材料层； 图案化所述叠层的步骤包括各向异性地蚀刻所述叠层的上部，接着各向同性地蚀刻所述叠层的下部从而倒圆所述多个支柱的所述底部拐角；以及 各向同性地蚀刻所述叠层的所述下部的步骤包括各向同性地蚀刻至少部分所述第一导电类型半导体层。