发明名称 一种钴铱水合氧化物,钴铱水合氧化物薄膜,以及薄膜制备方法
摘要 本发明公开了一种钴铱水合氧化物,由水合氧化铱和水合氧化钴组成,表示为:(Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>+IrO<sub>2</sub>)·xH<sub>2</sub>O,其中x为0.3~2;所述钴铱水合氧化物中Co∶Ir摩尔比为20~80∶80~20,其制备步骤如下:1)将结晶氯化钴、氯铱酸溶解到体积比为2∶1的乙醇-异丙醇混合溶剂中,制得钴铱氯化物前躯体溶液;2)将钴铱氯化物前躯体溶液盛放至搪瓷坩埚内,另外用搪瓷坩埚盛放一杯清水,将两坩埚置于箱式炉中,关闭炉门后保温1至2小时,温度设定在300~400℃,然后随炉冷却,得到钴铱水合氧化物材料。采用水合结构钴铱氧化物制备的薄膜材料是制备超级电容器的理想材料,其制备方法简单,可作为工业化生产技术使用。
申请公布号 CN102522139B 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201110336910.3 申请日期 2011.10.28
申请人 泉州师范学院 发明人 吴允苗
分类号 H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01G11/46(2013.01)I 主分类号 H01B1/08(2006.01)I
代理机构 泉州市文华专利代理有限公司 35205 代理人 戴中生
主权项 一种制备钴铱水合氧化物薄膜的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:1)将结晶氯化钴、氯铱酸溶解到体积比为2:1的乙醇‑异丙醇混合溶剂中,制得钴铱氯化物前躯体溶液;2)将钴铱氯化物前躯体溶液盛放至搪瓷坩埚内,另外用搪瓷坩埚盛放一杯清水,将两坩埚一并置于箱式炉中,关闭炉门后保温1至2小时,保温温度设定在300~400℃,然后随炉冷却,即得到钴铱水合氧化物材料;所述钴铱水合氧化物由水合氧化铱和水合氧化钴组成,表示为:(Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>+IrO<sub>2</sub>)·xH<sub>2</sub>O,其中x为0.3~2;所述钴铱水合氧化物中Co∶Ir摩尔比为20~80∶80~20;3)将步骤2)制得的钴铱水合氧化物材料与导电剂、胶黏剂按重量比例为95~90∶5~10∶5~15进行混合均匀,调制成糊状物;4)将糊状物均匀地涂在导电基体表面,然后用粉末压片机压制成极片后在200~280℃温度下热处理30‑60分钟,目的是使得胶黏剂被氧化分解,从而制得钴铱水合氧化物与导电剂构成的钴铱水合氧化物薄膜材料;所述钴铱水合氧化物薄膜由钴铱水合氧化物和导电剂构成,其中导电剂占钴铱水合氧化物薄膜总质量的5~10%;所述步骤3)中导电剂为炭黑、碳纤维、碳微球中的至少一种;所述步骤3)中胶黏剂采用聚四氟乙烯乳液;所述步骤4)中的导电基体为钛、钽、镍、铝中的任意一种。
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