| 发明名称 | TFT-LCD及其驱动方法和阵列基板制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种TFT-LCD及其驱动方法和阵列基板制造方法，其中TFT-LCD包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板边缘设置有第一公共电极，在子像素区域设置有多条存储电极线；各条存储电极线分别通过各个耦合TFT与所述第一公共电极连接；各个耦合TFT用于在与各条存储电极线对应的栅线打开期间打开；如果与当前打开的栅线对应的像素电极上施加的信号为正极性，第一公共电极用于在耦合TFT打开期间输入与相邻前一帧相比电压增大了的信号；如果与当前打开的栅线对应的像素电极上施加的信号为负极性，第一公共电极用于在耦合TFT打开期间输入与相邻前一帧相比电压减小了的信号。本发明提供的技术方案，能够减少像素电极的充电时间。 | ||
| 申请公布号 | CN102455555B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201010529932.7 | 申请日期 | 2010.10.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 王峥;夏子琪 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静 |
| 主权项 | 一种TFT‑LCD，包括阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括第一公共电极和设置在子像素区域的多条存储电极线，其特征在于，各条存储电极线分别通过各个耦合TFT与所述第一公共电极连接，各个耦合TFT用于在与各条存储电极线对应的栅线打开期间打开；如果与当前打开的栅线对应的像素电极上施加的信号为正极性，所述第一公共电极用于在耦合TFT打开期间输入与相邻前一帧相比电压增大了的信号；如果与当前打开的栅线对应的像素电极上施加的信号为负极性，所述第一公共电极用于在耦合TFT打开期间输入与相邻前一帧相比电压减小了的信号。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||