发明名称 | 制造由硅或硅基材料构成的结构化粒子的方法 | ||
摘要 | 本发明提供了蚀刻硅以形成柱体的方法,所述柱体可用作Li离子电池中的阳极材料;作为蚀刻程序的一部分,该方法包括将银沉积到硅上。被蚀刻的硅粒子显示在图1中。蚀刻硅之后存在的银可以通过用硝酸处理而除去。这种除去的银可以再循环,由此降低整个方法的成本。在一个实施方案中,该方法包括:用包含HF、Ag<sup>+</sup>离子和硝酸根离子的蚀刻溶液处理硅,例如颗粒或块状材料,由此蚀刻该硅以形成在其表面上具有蚀刻柱体的硅;该硅包括银的表面沉积物,将所述被蚀刻的硅与用过的蚀刻溶液分离,使用硝酸从所述被蚀刻的硅溶解银,以形成含有Ag<sup>+</sup>离子和硝酸根离子的溶液,将所述含有Ag<sup>+</sup>离子和硝酸根离子的溶液与另外的HF混合,以形成另外的蚀刻溶液,和使用所述另外的蚀刻溶液处理另外的硅。 | ||
申请公布号 | CN102239584B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
申请号 | CN200980148882.3 | 申请日期 | 2009.10.02 |
申请人 | 奈克松有限公司 | 发明人 | M·格林;F-M·刘 |
分类号 | H01M4/04(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 彭飞;林柏楠 |
主权项 | 蚀刻硅的方法,该方法包括:用包含HF、Ag<sup>+</sup>离子和硝酸根离子的溶液处理颗粒形式的硅,以形成在其表面上具有蚀刻柱体并包括银表面沉积物的硅,将被蚀刻的硅与用过的蚀刻溶液分离,使用硝酸从所述被蚀刻的硅溶解银,以形成含有Ag<sup>+</sup>离子和硝酸根离子的溶液,将所述含有Ag<sup>+</sup>离子和硝酸根离子的溶液与另外的HF混合,以形成另外的溶液,和使用所述另外的溶液蚀刻另外的硅。 | ||
地址 | 英国牛津郡 |