| 发明名称 | 衬底拓扑可知的光刻模型化 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种衬底拓扑可知的光刻模型化方法，具体公开了用于模拟由入射辐射导致在衬底上的抗蚀剂内形成的图像的方法，所述衬底具有在抗蚀剂层下面的第二特征和第一特征，所述方法包括步骤：在不使用入射辐射和第二特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第一特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第一分图像；在不使用入射辐射和第一特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第二特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第二分图像；由第一分图像和第二分图像计算在抗蚀剂层内形成的图像；其中，入射辐射和第一特征的相互作用与入射辐射和第二特征的相互作用不同。 | ||
| 申请公布号 | CN103246174B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201310045671.5 | 申请日期 | 2013.02.05 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | 兰崧 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/36(2012.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吴敬莲 |
| 主权项 | 一种用于模拟由入射辐射导致在衬底上的抗蚀剂内形成的图像的方法，所述衬底具有在抗蚀剂层下面的第一特征和第二特征，所述方法包括步骤：在不使用入射辐射和第二特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第一特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第一分图像；在不使用入射辐射和第一特征的相互作用的情况下使用入射辐射和第二特征的相互作用模拟在抗蚀剂层内的第二分图像；由第一分图像和第二分图像计算在抗蚀剂层内形成的图像；其中，入射辐射和第一特征的相互作用与入射辐射和第二特征的相互作用不同。 | ||
| 地址 | 荷兰维德霍温 | ||