| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光元件，其包括：包括第一导电型层、第二导电型层、以及介于所述第一导电型层和所述第二导电型层之间的发光层的半导体多层结构；形成在所述第二导电型层上的第一透明电极；形成在所述第一透明电极上并且包括小于所述第一透明电极的面积的反射层；形成在所述第一透明电极上以覆盖所述反射层的第二透明电极；以及形成在所述第二透明电极上并在所述反射层上方的区域中的垫电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102569589B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201110402374.2 | 申请日期 | 2011.12.06 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 出口将士 |
| 分类号 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/46(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，包括：包括第一导电型层、第二导电型层、以及介于所述第一导电型层和所述第二导电型层之间的发光层的半导体多层结构；形成在所述第二导电型层上的第一透明电极；形成在所述第一透明电极上并且包括小于所述第一透明电极的面积的反射层；形成在所述第一透明电极上以覆盖所述反射层的第二透明电极；以及形成在所述第二透明电极上并在所述反射层上方的区域中的垫电极，其中从所述发光层发出的光从所述发光层的所述第二导电型层一侧提取。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||