| 发明名称 | NVM器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新的NVM器件，称为SONONOS器件。该SONONOS器件是将传统的SONOS器件中的ONO层改为ONONO层，并利用其中位于上方的氮化硅层存储电子或空穴。该SONONOS器件不但能保持SONOS器件高速、低功耗的特性，还能进一步提高器件的数据保持能力，尤其是高温下的可靠性能力。本发明还公开了所述SONONOS器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102760773B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201110107634.3 | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈广龙;陈昊瑜 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种NVM器件，其特征是，所述NVM器件称为SONONOS器件，其结构为：阱(10)中具有轻掺杂区(11)；阱(10)中的轻掺杂区(11)之上为ONONO层(22)；ONONO层(12)具体包括位于自下而上的第一氧化硅层(221)、氮氧化硅层(222)、第二氧化硅层(223)、氮化硅层(224)和第三氧化硅层(225)；ONONO层(22)之上为多晶硅栅极(13)及其两侧的氮化硅侧墙(14)；氮化硅侧墙(14)两侧下方的阱(10)中具有轻掺杂漏注入区(15)；阱(10)中且在轻掺杂漏注入区(15)外侧具有源漏注入区(16)。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||